SI2309CDS-T1-GE3 Артикул: 250629 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 11595 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 80 220 3000 6000 Без НДС: 41.95 грн. 30.43 грн. 23.23 грн. 11.08 грн. 10.50 грн. 10.31 грн. 10.25 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	2,7нC; 2.7нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.1Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,45Ом; 0.45Ом; 450мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-1,3А; -1.3А;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -1, 3А, 1, 1Вт, SOT23.