IXTY18P10T Артикул: 284848 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 78 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 6 10 15 25 70 Без НДС: 276.88 грн. 162.95 грн. 161.04 грн. 154.04 грн. 151.49 грн. 150.22 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	62нс
Заряд затвора:	39нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	83Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,12Ом; 0.12Ом; 120мОм;
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-18А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, TO252