|
|
IPD50P04P4L11ATMA2Артикул: 463122 Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2400 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | PG-TO252-3-313 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | -200А |
| Заряд затвора: | 14нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | -16...5В |
| Напряжение сток-исток: | -40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 58Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 10,6мОм |
| Технология: | OptiMOS® -P2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -40А |
Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: P-MOSFET, OptiMOS® -P2, полевой, -40В, -40А, Idm: -200А