DMP21D6UFD-7 Артикул: 282674 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,25А; 0,4Вт; X1-DFN1212-3. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2760 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 25 100 269 738 6000 Без НДС: 15.91 грн. 12.39 грн. 10.80 грн. 8.88 грн. 6.57 грн. 3.30 грн. 3.12 грн. 3.00 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	X1-DFN1212-3
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,4Вт; 0.4Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	3Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,25А; -0.25А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,25А; 0,4Вт; X1-DFN1212-3.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0, 25А, 0, 4Вт, X1-DFN1212-3