|
|
APT11N80BC3GАртикул: 434289 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 33А |
| Заряд затвора: | 60нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 156Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 450мОм |
| Технология: | CoolMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 11А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 11А, Idm: 33А, 156Вт, TO247-3