|
|
SIHJ10N60E-T1-GE3Артикул: 278930 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PowerPAK® SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 50нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 89Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,313Ом; 0.313Ом; 313мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 6А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 6А, 89Вт, PowerPAK® SO8