|
|
SIHB33N60E-GE3Артикул: 262394 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Заряд затвора: | 150нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 278Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 278Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,099Ом; 0.099Ом; 99мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 21А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK.
Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 21А, 278Вт, D2PAK.