|
|
IXTY1R4N100PАртикул: 300577 Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 63Вт; TO252; 750нс. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 3А |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 750нс |
| Заряд затвора: | 17,8нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 63Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 11,8Ом |
| Технология: | Polar™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 1,4А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | standard power mosfet |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 63Вт; TO252; 750нс.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1кВ, 63Вт, TO252, 750нс