|
|
IPD95R1K2P7ATMA1Артикул: 262686 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DPAK |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 15нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 52Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 950В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 52Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,2Ом; 1200мОм; |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
3,7А; 3.7А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 950В, 3, 7А, 52Вт, DPAK.