IPD80R900P7ATMA1 Артикул: 251428 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2478 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 22 60 500 1000 Без НДС: 104.90 грн. 68.93 грн. 40.93 грн. 38.70 грн. 37.43 грн. 37.30 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO252-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	15нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	45Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	45Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,9Ом; 900мОм;
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,9А; 3.9А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3, 9А, 45Вт, PG-TO252-3.