|
|
IPB073N15N5ATMA1Артикул: 251396 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO263-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 49нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 214Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 150В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 214Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
7,3мОм; 7.3мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ 5 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 81А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 81А, 214Вт, PG-TO263-3.