|
|
IGT60R070D1ATMA1Артикул: 280419 Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; 600В; 31А; Idm:60А; 125Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 2000 Минимальный заказ позиции: 2000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-HSOF-8-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 60А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
5,8нC; 5.8нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | -10В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 125Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
70мОм; 70Ом; |
| Технология: | CoolGaN™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-JFET |
| Ток стока: | 31А |
| Ток управления: | 20мА |
| PDF: |
|
Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; 600В; 31А; Idm:60А; 125Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, 600В, 31А, Idm:60А, 125Вт