|
|
IAUC120N04S6N009ATMA1Артикул: 304847 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 5000 Минимальный заказ позиции: 5000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TDSON-8 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 480А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 33нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 150Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 0,9мОм |
| Технология: | OptiMOS™ 6 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 120А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | logic level |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, OptiMOS™ 6, полевой, 40В, 120А, Idm: 480А