|
|
IXXN110N65B4H1Артикул: 300621 Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX4™,XPT™. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 650В |
| Обратное напряжение макс.: | 650В |
| Потери мощности: | 750Вт |
| Технология: |
GenX4™; XPT™; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 110А |
| Ток коллектора в импульсе: | 650А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX4™,XPT™.
Теги: Модули IGBT, IXYS, Ic: 110А, SOT227B, винтами, винтами, 750Вт, GenX4™, XPT™