|
|
APTGLQ150H120GАртикул: 435017 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP6C |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Технология: |
Field Stop; Trench; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 150А |
| Ток коллектора в импульсе: | 480А |
| Топология: | Н мост |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А.
Теги: Модули IGBT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, Н мост, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 150А