(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Артикул: 283921


Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:210А; SOT227B; винтами.

Производитель: IXYS



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 30
Без НДС: 2 251.30 грн. 2 239.48 грн.
Корпус: SOT227B
Производитель: IXYS
Pulsed drain current: 650А
Вид упаковки: россыпью
Время готовности: 190нс
Заряд затвора: 375нC
Импульсный ток: 650А
Конструкция диода: одиночный транзистор
Механический монтаж: винтами
Монтаж: винтами
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 300В
Полярность: полевой
Потери мощности: 695Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 4,6мОм;
4.6мОм;
Технология: HiPerFET™;
X3-Class;
Тип канала: обогащенный
Тип модуля: полевой МОП-транзистор;
транзисторный;
Ток стока: 210А
Электрический монтаж: винтами
PDF:
PDF
Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:210А; SOT227B; винтами.

Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:300В, Id:210А, SOT227B, винтами