|
|
IXFN210N30P3Артикул: 298409 Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; Ugs: ±30В; 268нC. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 550А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 250нс |
| Заряд затвора: | 268нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 300В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1500Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 14,5мОм |
| Технология: |
HiPerFET™; Polar3™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 192А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; Ugs: ±30В; 268нC.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, 300В, 192А, SOT227B, Ugs: ±30В, 268нC