|
|
IXFN200N10PАртикул: 282140 Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:200А; SOT227B; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 400А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 150нс |
| Заряд затвора: | 235нC |
| Импульсный ток: | 400А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: |
±20В; ±30В; |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 680Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
7,5мОм; 7.5мОм; |
| Технология: |
HiPerFET™; Polar™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 200А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:200А; SOT227B; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:100В, Id:200А, SOT227B, винтами