|
|
APTM50DDA10T3GАртикул: 435292 Модуль; диод/транзистор; 500В; 28А; SP3; Ugs: ±30В; винтами; 312Вт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 15 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 140А |
| Конструкция диода: | диод/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Потери мощности: | 312Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 120мОм |
| Технология: | POWER MOS 7® |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 28А |
| Топология: |
boost chopper x2; термистор NTC; |
| Электрический монтаж: | Press-in PCB |
Модуль; диод/транзистор; 500В; 28А; SP3; Ugs: ±30В; винтами; 312Вт.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод/транзистор, 500В, 28А, SP3, Ugs: ±30В, винтами, 312Вт