|
|
APTM120DA30CT1GАртикул: 435251 Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 12 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP1 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 195А |
| Конструкция диода: | диод SiC/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 657Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 360мОм |
| Технология: |
POWER MOS 8®; SiC; |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 23А |
| Топология: |
boost chopper; термистор NTC; |
| Электрический монтаж: | Press-in PCB |
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод SiC/транзистор, 1, 2кВ, 23А, SP1, Ugs: ±30В, винтами