APTM100DA18TGАртикул: 435211 Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 33А; SP4; Ugs: ±30В; винтами; Idm: 172А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
Корпус: | SP4 |
Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Pulsed drain current: | 172А |
Конструкция диода: | диод/транзистор |
Механический монтаж: | винтами |
Монтаж: | винтами |
Напряжение затвор-исток: | ±30В |
Напряжение сток-исток: | 1кВ |
Потери мощности: | 780Вт |
Сопротивление в открытом состоянии: | 210мОм |
Технология: | POWER MOS 7® |
Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
Ток стока: | 33А |
Топология: |
boost chopper; термистор NTC; |
Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 33А; SP4; Ugs: ±30В; винтами; Idm: 172А.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод/транзистор, 1кВ, 33А, SP4, Ugs: ±30В, винтами, Idm: 172А