|
|
APT58M50JАртикул: 434740 Модуль; одиночный транзистор; 500В; 37А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | ISOTOP |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 270А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 540Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 65мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 37А |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 37А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, одиночный транзистор, 500В, 37А, ISOTOP, Ugs: ±30В, винтами