|
|
TK65G10N1,RQ(SАртикул: 379745 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK. Производитель: TOSHIBA |
 |
Кратность заказа позиции: 1000 Минимальный заказ позиции: 1000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | TOSHIBA |
| Pulsed drain current: | 283А |
| Заряд затвора: | 81нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 156Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 3,8мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 136А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 283А; 156Вт; D2PAK.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, TOSHIBA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 136А, Idm: 283А, 156Вт, D2PAK