|
|
SSM6J511NU,LF(TАртикул: 284967 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6. Производитель: TOSHIBA |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | uDFN6 |
| Производитель: | TOSHIBA |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 47нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±10В |
| Напряжение сток-исток: | -12В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,25Вт; 1.25Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
19,2мОм; 19.2мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -14А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, TOSHIBA, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -12В, -14А, 1, 25Вт, uDFN6