SSM3J334R,LF(T Артикул: 284958 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F. Производитель: TOSHIBA		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 2330 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 25 100 130 355 3000 Без НДС: 8.51 грн. 7.07 грн. 6.23 грн. 5.81 грн. 5.45 грн. 5.27 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23F
Производитель:	TOSHIBA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	5,9нC; 5.9нC;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	136мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-4А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, TOSHIBA, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -4А, 1Вт, SOT23F