SSM3J331R,LF Артикул: 484576 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F. Производитель: TOSHIBA		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 2670 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 25 100 500 Без НДС: 8.40 грн. 6.55 грн. 5.79 грн. 5.72 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23F
Производитель:	TOSHIBA
Pulsed drain current:	-10А
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	2Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	150мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-4А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, TOSHIBA, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -4А, Idm: -10А, 2Вт, SOT23F