|
|
TK65S04N1L,LQ(OАртикул: 248997 Транзистор: N-MOSFET; полевой; ESD protected gate; 40В; 65А; 107Вт. Производитель: TOSHIBA |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DPAK |
| Производитель: | TOSHIBA |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 39нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 107Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 107Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
7,8мОм; 7.8мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 65А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; ESD protected gate; 40В; 65А; 107Вт.
Теги: TOSHIBA., Транзистор: N-MOSFET, полевой, ESD protected gate, 40В, 65А, 107Вт.