1N4448 A0 Артикул: 201343 Диод: импульсный; 100В; 150мА; 450мА; 4нс; Упаковка: Ammo Pack; DO35. Производитель: TAIWAN SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 25	Кол-во: 825 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 25 100 250 500 1000 1197 3292 Без НДС: 7.77 грн. 6.77 грн. 6.15 грн. 4.09 грн. 3.65 грн. 2.04 грн. 1.83 грн. 1.52 грн. 0.62 грн. 0.59 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DO35
Производитель:	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид упаковки:	Ammo Pack
Время готовности:	4нс
Емкость:	4пФ
Импульсный ток:	2А
Конструкция диода:	одиночный диод
Монтаж:	THT
Мощность:	500мВт
Обратное напряжение макс.:	100В
Падение напряжения макс.:	1В
Падение напряжения при If:	1В
Потери мощности:	500мВт
Прямой ток:	0,15А; 150мА;
Прямой ток макс.:	0,45А; 450мА;
Тип диода:	импульсный
PDF:

Диод: импульсный; 100В; 150мА; 450мА; 4нс; Упаковка: Ammo Pack; DO35.

Теги: TAIWAN SEMICONDUCTOR., Диод: импульсный, 100В, 150мА, 450мА, 4нс, Упаковка: Ammo Pack, DO35.