1N4448 A0 Артикул: 201343 Диод: импульсный; 100В; 150мА; 450мА; 4нс; Упаковка: Ammo Pack; DO35. Производитель: TAIWAN SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 25	Кол-во: 145 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 25 100 250 500 860 2364 Без НДС: 13.34 грн. 12.07 грн. 10.67 грн. 7.06 грн. 6.34 грн. 3.54 грн. 3.19 грн. 1.03 грн. 0.97 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DO35
Производитель:	TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид упаковки:	Ammo Pack
Время готовности:	4нс
Емкость:	4пФ
Импульсный ток:	2А
Конструкция диода:	одиночный диод
Монтаж:	THT
Мощность:	500мВт
Обратное напряжение макс.:	100В
Падение напряжения макс.:	1В
Падение напряжения при If:	1В
Потери мощности:	500мВт
Прямой ток:	0,15А; 150мА;
Прямой ток макс.:	0,45А; 450мА;
Тип диода:	импульсный
PDF:

Диод: импульсный; 100В; 150мА; 450мА; 4нс; Упаковка: Ammo Pack; DO35.

Теги: TAIWAN SEMICONDUCTOR., Диод: импульсный, 100В, 150мА, 450мА, 4нс, Упаковка: Ammo Pack, DO35.