|
|
STY60NM50Артикул: 209396 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247. Производитель: ST MICROELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 17 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | MAX247 |
| Производитель: |
ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics; |
| Вид упаковки: | туба |
| Кол-во в упаковке: | 30шт. |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 560Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 560Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 50мОм |
| Технология: |
MDmesh™; SuperMesh™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
37,8А; 37.8А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247.
Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 37, 8А, 560Вт, MAX247.