|
|
STQ2HNK60ZR-APАртикул: 871614 Транзистор: N-MOSFET; полевой. Производитель: STMicroelectronics |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1787 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
| Корпус: | TO92 Formed |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Pulsed drain current: | 2А |
| Вид упаковки: | Ammo Pack |
| Заряд затвора: | 11нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 3Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 4,8Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 0,5А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, STMicroelectronics, Транзистор: N-MOSFET, полевой