STP24NM60N Артикул: 485252 Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 650В; 11А; Idm: 68А. Производитель: STMicroelectronics		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 179 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 9 25 100 Без НДС: 200.84 грн. 154.59 грн. 100.74 грн. 95.04 грн. 91.23 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO220AB
Производитель:	STMicroelectronics
Pulsed drain current:	68А
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	44нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	650В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	125Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	190мОм
Технология:	MDmesh™ ||
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	11А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 650В; 11А; Idm: 68А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, STMicroelectronics, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 650В, 11А, Idm: 68А