STR2N2VH5 Артикул: 526755 Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А. Производитель: STMicroelectronics		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 332 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 75 80 220 Без НДС: 77.46 грн. 65.84 грн. 60.13 грн. 45.19 грн. 11.49 грн. 10.91 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	STMicroelectronics
Pulsed drain current:	9,2А; 9,2А;
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	4,6нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,35Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	40мОм
Технология:	STripFET™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,4А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, STMicroelectronics, Транзистор: N-MOSFET, STripFET™, полевой, 20В, 1, 4А, Idm: 9, 2А