STF18N60M6 Артикул: 484803 Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 8,2А; Idm: 38А. Производитель: STMicroelectronics		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 83 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 11 30 100 Без НДС: 151.38 грн. 107.50 грн. 82.05 грн. 77.60 грн. 74.42 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO220FP
Производитель:	STMicroelectronics
Pulsed drain current:	38А
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	16,8нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±25В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	25Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	280мОм
Технология:	MDmesh™ M6
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8,2А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 8,2А; Idm: 38А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, STMicroelectronics, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 8, 2А, Idm: 38А