STD5NM60-1 Артикул: 484800 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK. Производитель: STMicroelectronics		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 130 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 18 48 Без НДС: 86.51 грн. 50.89 грн. 48.34 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	IPAK
Производитель:	STMicroelectronics
Pulsed drain current:	20А
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	18нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	650В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	96Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1Ом
Технология:	MDmesh™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,1А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, STMicroelectronics, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3, 1А, Idm: 20А, 96Вт, IPAK