STI4N62K3 Артикул: 208368 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 2А; 70Вт; I2PAK. Производитель: ST MICROELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 186 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 50 61 168 Без НДС: 31.17 грн. 18.89 грн. 16.67 грн. 14.88 грн. 14.57 грн. 13.74 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	I2PAK
Производитель:	ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics;
Вид упаковки:	туба
Кол-во в упаковке:	50шт.
Монтаж:	THT
Мощность:	70Вт
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	620В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	70Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	2000мОм; 2Ом;
Технология:	SuperMESH3™; SuperMesh™;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	2А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 2А; 70Вт; I2PAK.

Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 620В, 2А, 70Вт, I2PAK.