|
|
STI24N60M2Артикул: 208367 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 112А; 150Вт; I2PAK. Производитель: ST MICROELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | I2PAK |
| Производитель: |
ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics; |
| Вид упаковки: | туба |
| Кол-во в упаковке: | 50шт. |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 150Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±25В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 150Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 190мОм |
| Технология: |
MDmesh™ || Plus; SuperMesh™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
112А; 12А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 112А; 150Вт; I2PAK.
Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 112А, 150Вт, I2PAK.