STD3NK80Z-1 Артикул: 207671 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,57А; 70Вт; I2PAK. Производитель: ST MICROELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 820 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 34 75 92 Без НДС: 95.41 грн. 26.65 грн. 26.59 грн. 25.19 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	I2PAK
Производитель:	ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics;
Вид упаковки:	туба
Кол-во в упаковке:	75шт.
Монтаж:	THT
Мощность:	70Вт
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	70Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	4.5Ом; 4500мОм;
Технология:	SuperMesh™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,57А; 1.57А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,57А; 70Вт; I2PAK.

Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1, 57А, 70Вт, I2PAK.