STD1NK60-1 Артикул: 207652 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK. Производитель: ST MICROELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 268 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 49 135 Без НДС: 42.62 грн. 28.75 грн. 18.06 грн. 17.11 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	I2PAK
Производитель:	ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics;
Вид упаковки:	туба
Кол-во в упаковке:	75шт.
Монтаж:	THT
Мощность:	30Вт
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	30Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	8.5Ом; 8500мОм;
Технология:	SuperMesh™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,63А; 0.63А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK.

Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0, 63А, 30Вт, I2PAK.