|
|
STB100NF04T4Артикул: 355403 Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 2,9А; Idm: 16А. Производитель: STMicroelectronics |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 924 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: |
D2PAK; SOT223; |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Pulsed drain current: |
16А; 480А; |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: |
40В; 60В; |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
3,3Вт; 300Вт; |
| Применение: |
автомобильная отрасль; на транспорте; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
100мОм; 4,6мОм; |
| Технология: | STripFET™ II |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
120А; 2,9А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | automotive |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 2,9А; Idm: 16А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, STMicroelectronics, Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2, 9А, Idm: 16А