|
|
STU1HN60K3Артикул: 209371 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 760мА; 27Вт; IPAK. Производитель: ST MICROELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | IPAK |
| Производитель: |
ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics; |
| Вид упаковки: | туба |
| Кол-во в упаковке: | 75шт. |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 27Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 27Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
8000мОм; 8Ом; |
| Технология: |
SuperMESH3™; SuperMesh™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
0,76А; 0.76А; 760мА; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 760мА; 27Вт; IPAK.
Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 760мА, 27Вт, IPAK.