|
|
SCT50N120Артикул: 234148 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 50А; 318Вт; HIP247™. Производитель: ST MICROELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 48 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | HIP247™ |
| Производитель: |
ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics; |
| Pulsed drain current: | 130А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 122нC |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 318Вт |
| Напряжение затвор-исток: | -10...25В |
| Напряжение сток-исток: |
1,2кВ; 1.2кВ; |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 318Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 70мОм |
| Технология: |
SiC; SiCFET; |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 50А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 50А; 318Вт; HIP247™.
Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1, 2кВ, 50А, 318Вт, HIP247™.