SQ4940AEY-T1_GE3 Артикул: 0547268 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 374 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 20 25 100 Без НДС: 52.77 грн. 47.17 грн. 45.61 грн. 42.35 грн. 41.44 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	VISHAY
Pulsed drain current:	32А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	43нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	40В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,3Вт
Применение:	автомобильная отрасль
Сопротивление в открытом состоянии:	29мОм
Технология:	TrenchFET®
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	5,3А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А.

Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET x2, TrenchFET®, полевой, 40В, 5, 3А, Idm: 32А