|
|
SKM200GAL17E4Артикул: 191876 Модуль: IGBT; 248А; SEMITRANS3; винтами; 1,7кВ; Ifsm:1170А. Производитель: SEMIKRON |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 28 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | SEMITRANS3 |
| Производитель: | SEMIKRON |
| Импульсный ток: | 1170А |
| Конструкция диода: | диод/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: |
20В; ±20В; |
| Обратное напряжение макс.: |
1,7кВ; 1.7кВ; |
| Применение: |
инвертор; преобразователь частоты; |
| Рабочая температура: | -40...150°C |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 248А |
| Ток коллектора в импульсе: | 1170А |
| Топология: |
boost chopper; тормозной транзистор; |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
| PDF: |
|
Модуль: IGBT; 248А; SEMITRANS3; винтами; 1,7кВ; Ifsm:1170А.
Теги: SEMIKRON., Модуль: IGBT, 248А, SEMITRANS3, винтами, 1, 7кВ, Ifsm:1170А.