(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Артикул: 0757511


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
5944


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 15 41 100
Без НДС: 147.89 грн. 94.47 грн. 61.24 грн. 57.98 грн. 56.68 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 300А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 122нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -8...12В
Напряжение сток-исток: 20В
Полярность: полевой
Потери мощности: 42Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 3мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 169А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD