(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

Артикул: 0757718


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
5708


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 29 78 1000
Без НДС: 94.08 грн. 68.21 грн. 31.99 грн. 30.23 грн. 29.77 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -200А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 231нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±8В
Напряжение сток-исток: -20В
Полярность: полевой
Потери мощности: 42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 9,8мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -89,6А
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD