|
|
SIHB22N60E-GE3Артикул: 406840 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: VISHAY |
|
Кратность заказа позиции: 50 Минимальный заказ позиции: 50 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 56А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 86нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 227Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 180мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 21А |
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET