(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3

Артикул: 0758557


Транзистор: N-MOSFET.

Производитель: VISHAY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
50


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 4 5 11 25 50
Без НДС: 375.92 грн. 239.75 грн. 239.10 грн. 226.07 грн. 222.16 грн. 220.21 грн.
Корпус: D2PAK;
TO263;
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: 73А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 50нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±30В
Напряжение сток-исток: 600В
Полярность: полевой
Потери мощности: 208Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 0,1Ом
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 19А
Транзистор: N-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD