SI8487DB-T1-E1 Артикул: 296532 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 883 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 54 149 Без НДС: 60.60 грн. 37.62 грн. 16.42 грн. 15.53 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	MICROFOOT® 1.6x1.6
Производитель:	VISHAY
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	80нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±12В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,8/0,73Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	45мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-6,4А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -6, 4А, 1, 8/0, 73Вт