|
|
SI7898DP-T1-GE3Артикул: 406817 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 3000 Минимальный заказ позиции: 3000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PowerPAK® SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 25А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 21нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 150В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,2Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 85мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 3А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET