(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Артикул: 0406808


Транзистор: P-MOSFET.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
2740


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 67 100 250
Без НДС: 85.93 грн. 54.34 грн. 37.59 грн. 35.57 грн. 35.51 грн. 35.05 грн.
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Производитель: VISHAY
Pulsed drain current: -60А
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 59нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±25В
Напряжение сток-исток: -30В
Полярность: полевой
Потери мощности: 33Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 12,3мОм
Технология: TrenchFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -13,9А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD